聯穎光電- 晶焱 全球市占坐三望二

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晶焱 全球市占坐三望二
靜電防護晶片（ESD）廠晶焱（6411）在2021年第四季及全年營收 順利創下新高後，2022年隨著新產能挹注，業績有望持續衝高。

　　法人圈傳出，晶焱2022年將首度在力積電8吋晶圓投片，且獲得聯 電旗下6吋廠聯穎光電產能支援，將全力搶攻USB 4、車用市場，202 2年全球市占率將可望坐三望二。

　　晶焱2021年12月合併營收達3.83億元、月成長3.6％，創下單月歷 史次高，推動第四季合併營收季成長12.5％至11.85億元，寫下單季 新高表現，累計2021年全年合併營收達41.42億元、年成長29.9％同 締新猷。

　　法人指出，晶焱2021年下半年成功獲得晶圓代工產能支援，加上客 戶同樣轉嫁增加成本，因此使晶焱下半年合併營收開始明顯成長，且 第四季在客戶拉貨動能續旺情況下，使合併營收達到淡季不淡水準。

　　進入2022年後，法人圈傳出，晶焱將可望首度獲得力積電8吋晶圓 投片，雖然初期投片量有限，大約僅200～300片等小量規模，不過後 續有機會持續獲得力積電8吋晶圓產能擴大支援，目標是每月2,000片 規模。

　　不僅如此，聯電旗下的6吋晶圓廠聯穎光電也對晶焱產能提供奧援 ，法人指出，目前聯穎光電每月提供給晶焱大約兩萬片的6吋晶圓規 模，加上力積電提供的8吋產能晶圓，晶焱將可望擴大供貨給車用及 USB 4等相關客戶，使ESD晶片出貨動能在2022年將可明顯攀升，市占 率有機會坐二望三。

　　據了解，晶焱在2021年受惠遠端商機，使ESD晶片獲得客戶在USB控 制IC、HDMI及行動周邊零組件等終端應用擴大導入訂單，且進入202 2年還可望受惠於USB 4、PCIe Gen4／5等高速傳輸介面滲透率提升， 加大晶焱ESD晶片出貨動能。

　　整體來看，法人看好，晶焱在2022年營運將有機會在市場需求續旺 ，加上晶圓代工產能奧援情況下，推動單季業績呈現逐季成長規模， 全年業績將有機會繳出優於2021年的成績單，代表將再改寫新高表現 。

聯穎併坤鉅 聯電 布局砷化鎵代工
看好功率放大器(PowerAmplifier，PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求，聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場，除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電，昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。

　　今年是大陸智慧型手機進入4G時代的關鍵年，由於大陸三大電信業者均要求今年上市的4G新機要支援5模10頻，而包括聯想、華為、中興、小米等一線大廠，4G手機均要能支援全球20頻段，因此需要採用更多的PA晶片。

　　此外，物聯網應用今年開始出現爆炸性成長，為了讓物物相聯，不論是採用WiFi或藍牙等無線網路技術，均需要搭載PA晶片。也因此，去年下半年PA晶片嚴重供不應求，包括Skyworks、RFMD、Avago等大廠均接單大爆滿，並持續擴大委外代工，所以台灣GaAs晶圓代工廠宏捷科、穩懋等今年營運展望樂觀，而聯電則決定搶進GaAs代工市場爭取訂單。

　　聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案，最高認購金額不超過5.4億元，同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電，出售價格合計4.4億元，聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。

　　聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技，換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股，合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源，提升競爭力，並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本，提升營運績效，創造更大獲利空間，也可爭取國際大廠代工訂單。


聯電擬加碼投資聯穎光電
晶圓代工廠聯電將加碼投資砷化鎵晶圓代工廠聯穎光電，增加投資金額以新台幣3億元為限。

聯穎光電成立於民國99年10月，主要投入砷化鎵晶圓代工業務，目前資本額11.81億元；聯電為最大股東，持股比重達74.69%。

聯穎光電營運虧損，據聯電財報資料顯示，聯穎光電前3季稅後淨損2.33億元，每股虧損1.97元。

為彌補虧損、改善財務結構及充實營運資金，聯穎光電計劃減資再增資。聯電決定參與聯穎光電現金增資，增資額度以3億元為限。


公司簡介
聯穎光電股份有限公司成立於民國九十九年十月，為聯電集團新投資事業群的一員，目前座落於台灣新竹科學園區聯電 Fab 6A廠區，為竹科第一座六英吋砷化鎵純晶圓代工服務公司。

聯穎擁有最先進的III-V 族製程與製造設備，利用規模化生產以提供客戶高度競爭力的附加價值，生產提供終端商業應用之高性能元件以及高品質的砷化鎵微波電晶體及射頻積體電路，同時跨足再生能源領域，提供聚光型太陽能電池晶片之代工服務。

聯穎提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務及最先端的砷化鎵電晶體製程技術予全球積體電路設計公司及整合元件製造廠。本著持續創新原則，擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神，為客戶創造最大的價值。

藉由提供III-V族業界最廣泛產品組合的代工服務，以及最佳化的砷化鎵晶圓代工商業模式，聯穎期許於不久的將來能夠在全球砷化鎵市場躋身領先地位。

公司基本資料

統一編號	53170263   訂閱
公司狀況	核准設立  「查詢最新營業狀況請至 財政部稅務入口網 」
公司名稱	聯穎光電股份有限公司  Google搜尋  (出進口廠商英文名稱：WAVETEK MICROELECTRONICS CORPORATION) 「國貿局廠商英文名稱查詢(限經營出進口或買賣業務者)」
章程所訂外文公司名稱
資本總額(元)	2,400,000,000
實收資本額(元)	1,846,448,800
每股金額(元)	10
已發行股份總數(股)	184,644,880
代表人姓名	賴明哲
公司所在地	新竹科學園區新竹縣創新一路10號3樓  電子地圖
登記機關	科技部新竹科學園區管理局
核准設立日期	099年10月18日
最後核准變更日期	110年11月09日
複數表決權特別股	無
對於特定事項具否決權特別股	無
特別股股東被選為董事、監察人之禁止或限制或當選一定名額之權利      無
所營事業資料	CC01080  電子零組件製造業 F401010  國際貿易業 CC01060  有線通信機械器材製造業 CC01070  無線通信機械器材製造業   研究、設計、開發、製造及銷售下列產品：   (1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率   電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A   mplifier & pHEMT RF Switch Device)   (2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based   Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer)   (3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs   Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer)   (4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer）   (5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（High Voltage GaAs HBT Epiwafer）   (6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE   MT Epiwafer)   (7)積體電路   (8)各種半導體零組件   (9)積體電路測試與包裝